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Ieee Transactions On Nanotechnology

Ieee Transactions On Nanotechnology

SCISCIE

国际简称:IEEE T NANOTECHNOL  参考译名:IEEE纳米技术汇刊

  • 中科院分区

    3区

  • CiteScore分区

    Q2

  • JCR分区

    Q3

基本信息:
ISSN:1536-125X
E-ISSN:1941-0085
是否OA:未开放
是否预警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地区:UNITED STATES
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版语言:English
出版周期:Quarterly
出版年份:2002
研究方向:工程技术-材料科学:综合
评价信息:
影响因子:2.5
H-index:73
CiteScore指数:5.2
SJR指数:0.482
SNIP指数:0.872
发文数据:
Gold OA文章占比:4.75%
研究类文章占比:100.00%
年发文量:76
自引率:0.0833...
开源占比:0.1101
出版撤稿占比:
出版国人文章占比:0
OA被引用占比:
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Ieee Transactions On Nanotechnology期刊介绍

The IEEE Transactions on Nanotechnology is devoted to the publication of manuscripts of archival value in the general area of nanotechnology, which is rapidly emerging as one of the fastest growing and most promising new technological developments for the next generation and beyond.

期刊简介Ieee Transactions On Nanotechnology期刊介绍

《Ieee Transactions On Nanotechnology》自2002出版以来,是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果,并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台,以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述,从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解,或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单,目前已被权威数据库SCI、SCIE收录,得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点:

Cite Score数据(2026年6月最新版)Ieee Transactions On Nanotechnology Cite Score数据

  • CiteScore:5.2
  • SJR:0.482
  • SNIP:0.872
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 304 / 1030

70%

大类:Engineering 小类:Computer Science Applications Q2 358 / 1022

65%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础,针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于,它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法,而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Ieee Transactions On Nanotechnology 中科院分区

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 4区 3区 3区
期刊分区表(2025年3月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区 4区
期刊分区表(2023年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区 4区
期刊分区表(2022年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 3区 4区 4区 4区
期刊分区表(2021年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础,运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据,得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次,类似于“优、良、及格”等。最开始,这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Ieee Transactions On Nanotechnology JCR分区

2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 204 / 369

44.9

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 320 / 472

32.3

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 109 / 148

26.7

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 114 / 191

40.6

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 226 / 371

39.22

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 301 / 473

36.47

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 93 / 148

37.5

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 118 / 191

38.48

2024-2025年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 184 / 368

50.1

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 284 / 461

38.5

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 108 / 147

26.9

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 101 / 187

46.3

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 227 / 368

38.45

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 291 / 463

37.26

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 96 / 147

35.03

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 120 / 187

36.1

2023-2024年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 192 / 352

45.6

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 286 / 438

34.8

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 105 / 140

25.4

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 109 / 179

39.4

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 200 / 354

43.64

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

41.89

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 82 / 140

41.79

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 106 / 179

41.06

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异,此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此,JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区,这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

国家/地区发文量统计
  • 国家/地区数量
  • CHINA MAINLAND119
  • USA104
  • India91
  • Taiwan39
  • South Korea28
  • Iran27
  • GERMANY (FED REP GER)18
  • Italy17
  • France14
  • Spain14

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、Near-Infrared Photodetector Based on Single-Walled Carbon Nanotubes/Graphene/Al2O3/InGaAs Structur

    Author: Zhang, Danyang; Gu, Hao; Chen, Jun

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2026; Vol. 25, Issue , pp. 132-137. DOI: 10.1109/TNANO.2026.3677120

  • 2、Multi-Bandwidth Coupling Performance Enhancement Using Si3N4-on-SOI Grating Coupler Platfor

    Author: Sharma, Tarun; Painam, Balveer; Liu, Xingyu; Zhang, Zunyue; Murai, Shunsuke; Yu, Kyoungsik; Cheng, Zhenzhou

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2026; Vol. 25, Issue , pp. 107-112. DOI: 10.1109/TNANO.2026.3675855

  • 3、High-Selectivity Sensing of 2-Butanone by Ni-Doped ZnO Nanoparticles Derived From ZIF-

    Author: Mu, Zhuangzhuang; Zhou, Fangling; Yuan, Zhenyu; Meng, Fanli

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2026; Vol. 25, Issue , pp. 68-73. DOI: 10.1109/TNANO.2026.3666780

  • 4、Ni-SiO2 Cell-Assisted Thermally Stable Broadband Metamaterial Emitte

    Author: Saqlain, Muhammad; Baqir, Muhammad Abuzar; Choudhury, Pankaj Kumar

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2025; Vol. 24, Issue , pp. 307-311. DOI: 10.1109/TNANO.2025.3576246

  • 5、Automated Force Curve Methods Based Micropipette Force Sensor

    Author: Shi, Huiyao; Tang, Si; Shi, Jialin; Yu, Peng; Yang, Tie; Su, Chanmin; Liu, Lianqing

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2025; Vol. 24, Issue , pp. 224-230. DOI: 10.1109/TNANO.2024.3513981

  • 6、A Low-Power and Reliable RRAM-Based Configurable RO PUF With Aging Resilienc

    Author: Li, Jiang; Cui, Yijun; Wang, Chenghua; Gu, Chongyan; Liu, Weiqiang

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2025; Vol. 24, Issue , pp. 293-306. DOI: 10.1109/TNANO.2025.3569071

  • 7、Adaptive Separately Constrained Triplet Loss (A-SCTL) for High-Performance Triplet Network

    Author: Wang, Ziheng; Niknia, Farzad; Liu, Shanshan; Jiang, Honglan; Liu, Siting; Reviriego, Pedro; Zhou, Jun; Lombardi, Fabrizio

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2025; Vol. 24, Issue , pp. 157-165. DOI: 10.1109/TNANO.2025.3552233

  • 8、A Multi-Mode Configurable Physical Unclonable Function Based on RRAM With Adjustable Programmable Voltag

    Author: Cui, Yijun; Li, Jiang; Gu, Chongyan; Wang, Chenghua; Liu, Weiqiang

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2025; Vol. 24, Issue , pp. 166-177. DOI: 10.1109/TNANO.2025.3552433

投稿常见问题

通讯方式:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。