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Japanese Journal Of Applied Physics

Japanese Journal Of Applied Physics

SCISCIE

国际简称:JPN J APPL PHYS  参考译名:日本应用物理学杂志

  • 中科院分区

    4区

  • CiteScore分区

    Q2

  • JCR分区

    Q4

基本信息:
ISSN:0021-4922
E-ISSN:1347-4065
是否OA:未开放
是否预警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地区:JAPAN
出版商:Japan Society of Applied Physics
出版语言:English
出版周期:Monthly
出版年份:1962
研究方向:物理-物理:应用
评价信息:
影响因子:1.7
H-index:116
CiteScore指数:3.1
SJR指数:0.282
SNIP指数:0.648
发文数据:
Gold OA文章占比:37.33%
研究类文章占比:96.31%
年发文量:841
自引率:0.2666...
开源占比:0.0648
出版撤稿占比:
出版国人文章占比:0
OA被引用占比:
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Japanese Journal Of Applied Physics期刊介绍

The Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) is an international journal for the advancement and dissemination of knowledge in all fields of applied physics. JJAP is a sister journal of the Applied Physics Express (APEX) and is published by IOP Publishing Ltd on behalf of the Japan Society of Applied Physics (JSAP).

JJAP publishes articles that significantly contribute to the advancements in the applications of physical principles as well as in the understanding of physics in view of particular applications in mind. Subjects covered by JJAP include the following fields:

• Semiconductors, dielectrics, and organic materials

• Photonics, quantum electronics, optics, and spectroscopy

• Spintronics, superconductivity, and strongly correlated materials

• Device physics including quantum information processing

• Physics-based circuits and systems

• Nanoscale science and technology

• Crystal growth, surfaces, interfaces, thin films, and bulk materials

• Plasmas, applied atomic and molecular physics, and applied nuclear physics

• Device processing, fabrication and measurement technologies, and instrumentation

• Cross-disciplinary areas such as bioelectronics/photonics, biosensing, environmental/energy technologies, and MEMS

期刊简介Japanese Journal Of Applied Physics期刊介绍

《Japanese Journal Of Applied Physics》自1962出版以来,是一本物理与天体物理优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果,并为物理与天体物理各个领域的原创研究提供一个展示平台,以促进物理与天体物理领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述,从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解,或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道物理与天体物理领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单,目前已被权威数据库SCI、SCIE收录,得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点:

Cite Score数据(2026年6月最新版)Japanese Journal Of Applied Physics Cite Score数据

  • CiteScore:3.1
  • SJR:0.282
  • SNIP:0.648
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:General Engineering Q2 140 / 351

60%

大类:Engineering 小类:General Physics and Astronomy Q2 108 / 248

56%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础,针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于,它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法,而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Japanese Journal Of Applied Physics 中科院分区

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
物理与天体物理 4区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区
期刊分区表(2025年3月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
物理与天体物理 4区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区
期刊分区表(2023年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
物理与天体物理 4区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区
期刊分区表(2022年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
物理与天体物理 4区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区
期刊分区表(2021年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
物理与天体物理 4区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础,运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据,得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次,类似于“优、良、及格”等。最开始,这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Japanese Journal Of Applied Physics JCR分区

2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 145 / 191

24.3

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 147 / 191

23.3

2024-2025年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 138 / 187

26.5

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 140 / 187

25.4

2023-2024年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 134 / 179

25.4

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179

22.07

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异,此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此,JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区,这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、Heterogeneously integrated IGZTO-CMOS neuromorphic CIM achieving 34.8 TOPS W-1 and 87.7 fJ write energ

    Author: He, Zhaolong; Chen, Kai; Wang, Hanfeng; Guo, Yaolei; Cheng, Yue; Tang, Chenhao; Li, Yunlong; Zhang, Rui; Li, Junkang; Ma, Yitao

    Journal: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2026; Vol. 65, Issue 7, pp. -. DOI: 10.35848/1347-4065/ae4be5

  • 2、High-efficiency AWB circuit engine using ultra-lightweight Half-SqueezeNet-DSC architecture with attention-based complexity reductio

    Author: Wang, Hanfeng; He, Zhaolong; Cheng, Yue; Zhu, Hongbo; Gao, Dawei; Fang, Wenzhang; Ma, Yitao

    Journal: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2026; Vol. 65, Issue 7, pp. -. DOI: 10.35848/1347-4065/ae5253

  • 3、Overcoming the resistivity-roughness trade-off in 3D dynamic random-access memory interconnects via nucleation-modulated atomic layer depositio

    Author: Qin, Weidu; Sun, Jiabao; Qin, Yayuan; Ding, Shanshan; Han, Baodong; Sun, Hongbo; Tian, Chao; Zhao, Chao

    Journal: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2026; Vol. 65, Issue 7, pp. -. DOI: 10.35848/1347-4065/ae5195

  • 4、Fabrication of nano-scale blue GaN-based nanopillar array LEDs for near-eye display

    Author: Zhang, Le; Fu, Song; Yang, Kailai; Kang, Junjie; Liang, Meng; Wang, Junxi; Li, Jinmin; Liu, Zhiqiang

    Journal: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2026; Vol. 65, Issue 7, pp. -. DOI: 10.35848/1347-4065/ae574a

  • 5、Multi-physics simulation and experimental optimization of diamond deposition in a cylindrical MPCVD reacto

    Author: Xu, Manman; Dong, Hao; Zhu, Minghui; Lu, Yimin; Zhang, Xin

    Journal: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2026; Vol. 65, Issue 7, pp. -. DOI: 10.35848/1347-4065/ae5749

  • 6、Study on local and non-local effects: from dimers to overlapping nanowire

    Author: Zhang, Xi; Wu, Qingzhou; Wang, Tao; Li, Lei; Li, Zewen; Kan, Weiwei

    Journal: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2026; Vol. 65, Issue 6, pp. -. DOI: 10.35848/1347-4065/ae4a5f

  • 7、Single-field-plate GaN HEMTs achieving >2400 V breakdown voltage and 106% dynamic on-resistance at 600 V stres

    Author: Yang, Zhichao; Liao, Eason; Zhuang, Jungang; Dong, Hao; Zhang, Shuangshuang; Zhu, Lei; Yang, Zezheng; Zhang, Bingliang; Yu, Guohao; Zeng, Zhongming; Zhang, Baoshun

    Journal: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2026; Vol. 65, Issue 6, pp. -. DOI: 10.35848/1347-4065/ae4af0

  • 8、Period arraying Al-nanometal enhanced photoresponsivity of β-Ga2O3 -based solar-blind deep UV photodetectors via localized surface plasmon resonanc

    Author: Song, Dongyu; Fu, Rongpeng; Fu, Shihao; Wang, Yuefei; Li, Bingsheng; Shen, Aidong; Liu, Yichun

    Journal: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2026; Vol. 65, Issue 6, pp. -. DOI: 10.35848/1347-4065/ae4436

投稿常见问题

通讯方式:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS, KUDAN-KITA BUILDING 5TH FLOOR, 1-12-3 KUDAN-KITA, CHIYODA-KU, TOKYO, JAPAN, 102-0073。