当前位置: 首页 JCRQ2 期刊介绍(非官网)
Journal Of Crystal Growth

Journal Of Crystal Growth

SCISCIE

国际简称:J CRYST GROWTH  参考译名:晶体生长杂志

  • 中科院分区

    3区

  • CiteScore分区

    Q2

  • JCR分区

    Q2

基本信息:
ISSN:0022-0248
E-ISSN:1873-5002
是否OA:未开放
是否预警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地区:NETHERLANDS
出版商:Elsevier
出版语言:Multi-Language
出版周期:Biweekly
出版年份:1967
研究方向:化学-晶体学
评价信息:
影响因子:2.5
H-index:136
CiteScore指数:4.4
SJR指数:0.438
SNIP指数:0.902
发文数据:
Gold OA文章占比:13.21%
研究类文章占比:99.55%
年发文量:220
自引率:0.1111...
开源占比:0.0379
出版撤稿占比:
出版国人文章占比:0
OA被引用占比:
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Journal Of Crystal Growth期刊介绍

The journal offers a common reference and publication source for workers engaged in research on the experimental and theoretical aspects of crystal growth and its applications, e.g. in devices. Experimental and theoretical contributions are published in the following fields: theory of nucleation and growth, molecular kinetics and transport phenomena, crystallization in viscous media such as polymers and glasses; crystal growth of metals, minerals, semiconductors, superconductors, magnetics, inorganic, organic and biological substances in bulk or as thin films; molecular beam epitaxy, chemical vapor deposition, growth of III-V and II-VI and other semiconductors; characterization of single crystals by physical and chemical methods; apparatus, instrumentation and techniques for crystal growth, and purification methods; multilayer heterostructures and their characterisation with an emphasis on crystal growth and epitaxial aspects of electronic materials. A special feature of the journal is the periodic inclusion of proceedings of symposia and conferences on relevant aspects of crystal growth.

期刊简介Journal Of Crystal Growth期刊介绍

《Journal Of Crystal Growth》自1967出版以来,是一本材料科学优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果,并为材料科学各个领域的原创研究提供一个展示平台,以促进材料科学领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述,从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解,或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道材料科学领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单,目前已被权威数据库SCI、SCIE收录,得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点:

Cite Score数据(2026年6月最新版)Journal Of Crystal Growth Cite Score数据

  • CiteScore:4.4
  • SJR:0.438
  • SNIP:0.902
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q2 191 / 446

57%

大类:Physics and Astronomy 小类:Inorganic Chemistry Q2 42 / 86

51%

大类:Physics and Astronomy 小类:Materials Chemistry Q2 162 / 327

50%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础,针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于,它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法,而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Journal Of Crystal Growth 中科院分区

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
材料科学 3区 CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 4区 4区
期刊分区表(2025年3月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
材料科学 4区 CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 4区 4区
期刊分区表(2023年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
材料科学 4区 CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 4区 4区
期刊分区表(2022年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
材料科学 3区 CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 4区 4区
期刊分区表(2021年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
材料科学 3区 CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 3区 3区 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础,运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据,得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次,类似于“优、良、及格”等。最开始,这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Journal Of Crystal Growth JCR分区

2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 13 / 31

59.7

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 320 / 472

32.3

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 114 / 191

40.6

学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 14 / 31

56.45

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 235 / 473

50.42

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 191

57.85

2024-2025年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 15 / 31

53.2

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 325 / 461

29.6

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 130 / 187

30.7

学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 15 / 31

53.23

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 252 / 463

45.68

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 96 / 187

48.93

2023-2024年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 17 / 33

50

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 321 / 438

26.8

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 125 / 179

30.4

学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 19 / 33

43.94

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 249 / 438

43.26

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 104 / 179

42.18

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异,此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此,JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区,这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

国家/地区发文量统计
  • 国家/地区数量
  • CHINA MAINLAND389
  • Japan241
  • USA197
  • GERMANY (FED REP GER)136
  • Russia105
  • France72
  • India69
  • Taiwan33
  • Canada32
  • Poland31

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、Numerical simulation of flow and mass transfer during large scale, long seed growth of KDP crystals based on the supersaturation dead zone theor

    Author: Liu, Hang; Yan, Chengshuo; Wang, Bin; Tao, Guanghui; Chen, Zhengmin; Xiao, Yi; Yu, Wei; Chen, Shuxian

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 688, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128613

  • 2、Effect of rotating/pulsed magnetic field on solidification process and microstructure of Al-11.8Cu-24.22 Mg allo

    Author: Cui, Shibin; Zou, Cunlei; Yan, Zhiming

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 688, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128621

  • 3、Structural and spectral aspects of Ho3+/Nd3+-codoped CsCdCl3 crystals for ∼ 2 μm and ∼ 3.9 μm laser application

    Author: Wang, Nankai; Li, Xuhong; Zhu, Zhaojie; Huang, Yizhi; Tu, Chaoyang; Lakshminarayana, G.; Wang, Yan

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 687, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128610

  • 4、Effect of the deposition temperature on the structure and properties of SmBCO films prepared by laser chemical vapor depositio

    Author: Wang, Ting; Tu, Rong; Zhang, Canlin; Zhang, Chitengfei; Chen, Zhixin

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 687, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128612

  • 5、Development and characterization of high-quality 150 mm p-type 4H-SiC substrates using solution growt

    Author: Dang, Yifan; Zhu, Can; Chen, Penglei; Liu, Pengfei; Zhou, Huiqin; Gao, Chao

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 687, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128614

  • 6、Growth and bleaching mechanism of Al3+doped BSO crystals by the vertical Bridgman metho

    Author: Wang, Mengxue; Wu, Jing; Hu, Shucheng; Zhao, Di; Cheng, Han; Tian, Tian; Shen, Hui; Xu, Jiayue

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 686, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128596

  • 7、Effect of coil movement on the growth of silicon carbide by top-seeded solution growt

    Author: Zhao, Dongsheng; Yu, Wancheng; Wang, Jianfei; Zhang, Xiying; Chen, Xiufang; Wang, Lihuan; Xu, Xiangang

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 686, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128605

  • 8、From scalar indicators to full-field prediction: A multi-scale surrogate framework for thermal-field design in large-diameter Czochralski growt

    Author: Wang, Zhiqiang; Chen, Kunfeng; Tang, Gongbin; Xu, Lijian; Xue, Dongfeng

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 686, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128607

投稿常见问题

通讯方式:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。