当前位置: 首页 JCRQ3 期刊介绍(非官网)
Microelectronics Journal

Microelectronics Journal

SCISCIE

国际简称:MICROELECTRON J  参考译名:微电子杂志

  • 中科院分区

    3区

  • CiteScore分区

    Q2

  • JCR分区

    Q3

基本信息:
ISSN:0026-2692
E-ISSN:1879-2391
是否OA:未开放
是否预警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地区:ENGLAND
出版商:Elsevier
出版语言:English
出版周期:Monthly
出版年份:1967
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
评价信息:
影响因子:2.2
H-index:59
CiteScore指数:4.2
SJR指数:0.387
SNIP指数:0.853
发文数据:
Gold OA文章占比:5.14%
研究类文章占比:100.00%
年发文量:386
自引率:0.2727...
开源占比:0.0103
出版撤稿占比:
出版国人文章占比:0
OA被引用占比:
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Microelectronics Journal期刊介绍

Published since 1969, the Microelectronics Journal is an international forum for the dissemination of research and applications of microelectronic systems, circuits, and emerging technologies. Papers published in the Microelectronics Journal have undergone peer review to ensure originality, relevance, and timeliness. The journal thus provides a worldwide, regular, and comprehensive update on microelectronic circuits and systems.

The Microelectronics Journal invites papers describing significant research and applications in all of the areas listed below. Comprehensive review/survey papers covering recent developments will also be considered. The Microelectronics Journal covers circuits and systems. This topic includes but is not limited to: Analog, digital, mixed, and RF circuits and related design methodologies; Logic, architectural, and system level synthesis; Testing, design for testability, built-in self-test; Area, power, and thermal analysis and design; Mixed-domain simulation and design; Embedded systems; Non-von Neumann computing and related technologies and circuits; Design and test of high complexity systems integration; SoC, NoC, SIP, and NIP design and test; 3-D integration design and analysis; Emerging device technologies and circuits, such as FinFETs, SETs, spintronics, SFQ, MTJ, etc.

Application aspects such as signal and image processing including circuits for cryptography, sensors, and actuators including sensor networks, reliability and quality issues, and economic models are also welcome.

期刊简介Microelectronics Journal期刊介绍

《Microelectronics Journal》自1967出版以来,是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果,并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台,以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述,从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解,或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单,目前已被权威数据库SCI、SCIE收录,得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点:

Cite Score数据(2026年6月最新版)Microelectronics Journal Cite Score数据

  • CiteScore:4.2
  • SJR:0.387
  • SNIP:0.853
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 379 / 1030

63%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q2 195 / 446

56%

大类:Engineering 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 108 / 243

55%

大类:Engineering 小类:Surfaces, Coatings and Films Q2 64 / 141

54%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 154 / 318

51%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础,针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于,它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法,而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Microelectronics Journal 中科院分区

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 3区 3区
期刊分区表(2025年3月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 3区 4区
期刊分区表(2023年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 3区 4区
期刊分区表(2022年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 3区 4区
期刊分区表(2021年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 4区 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础,运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据,得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次,类似于“优、良、及格”等。最开始,这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Microelectronics Journal JCR分区

2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 229 / 369

38.1

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 120 / 148

19.3

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 250 / 371

32.75

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 104 / 148

30.07

2024-2025年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 198 / 368

46.3

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 147

22.8

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 237 / 368

35.73

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 98 / 147

33.67

2023-2024年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 110 / 140

21.8

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

32.91

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.21

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异,此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此,JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区,这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、A wideband low-phase-noise VCO with low-coupled 8-shaped inducto

    Author: Zou, Wei; Li, Pengcheng; Yao, Jingyun; Liu, Haiyang; Cheng, Zhengwang; Wang, Mei; Zhang, Li; Pan, Minghu; Zou, Xuecheng

    Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2026; Vol. 174, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2026.107221

  • 2、Deep cryogenic high dynamic range readout circuit for short-wave infrared focal plane array

    Author: Qiao, Jun; Wang, Xiao; Nie, Kaiming; Li, Peng; Wang, Kunhao; Xu, Jiangtao

    Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2026; Vol. 174, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2026.107219

  • 3、CNM-MNPO: A Compute-Near-Memory FPGA architecture with a mesh NoC placement optimizatio

    Author: Li, Yonggen; Kumar, Akash; Shen, Haibin; Huang, Kejie

    Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2026; Vol. 174, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2026.107222

  • 4、End-to-end ADC digital calibration via multi-output compression-recovery networ

    Author: Li, Jiashen; Deng, Honghui; Li, Long; Wu, Luotian; Li, Muqi; Yang, Xiao; Yin, Yongsheng

    Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2026; Vol. 174, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2026.107210

  • 5、A compact 26.5-29.5 GHz high-gain power amplifier based on an interleaved topology in 40-nm CMO

    Author: Du, Jiancong; Tang, Jiani; Li, Zhiqun; Li, Qin

    Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2026; Vol. 174, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2026.107217

  • 6、A 60V chopper amplifier achieving 3 μV VOS with adaptive input bias current compensatio

    Author: Feng, Jingbin; Zhou, Shanshan; Hou, Peiru; Qu, Pengda; Zhao, Yue; Xiao, Zhiming

    Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2026; Vol. 174, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2026.107199

  • 7、A 200-MS/s 12-b synchronous SAR ADC with low noise comparator in 28-nm CMO

    Author: Wu, Xiuheng; Zhang, Yuzhen; Guo, Xuan; Jiang, Zilin; Luo, Jiahui; Bai, Yun; Liu, Xinyu

    Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2026; Vol. 174, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2026.107204

  • 8、A 10-bit 50-MS/s SAR ADC employing PN-assisted LMS calibration and robust register logic achieving 78.4-dB SFD

    Author: Yang, Xijun; Men, Siqi; Shi, Yuzhuan; Sun, Jie

    Journal: MICROELECTRONICS JOURNAL. 2026; Vol. 174, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mejo.2026.107200

投稿常见问题

通讯方式:ELSEVIER SCI LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OXON, OX5 1GB。