当前位置: 首页 JCRQ3 期刊介绍(非官网)
Ieee Journal Of Quantum Electronics

Ieee Journal Of Quantum Electronics

SCISCIE

国际简称:IEEE J QUANTUM ELECT  参考译名:IEEE量子电子学杂志

  • 中科院分区

    3区

  • CiteScore分区

    Q2

  • JCR分区

    Q3

基本信息:
ISSN:0018-9197
E-ISSN:1558-1713
是否OA:未开放
是否预警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地区:UNITED STATES
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版语言:English
出版周期:Monthly
出版年份:1965
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
评价信息:
影响因子:1.9
H-index:120
CiteScore指数:4.2
SJR指数:0.478
SNIP指数:0.896
发文数据:
Gold OA文章占比:9.87%
研究类文章占比:100.00%
年发文量:87
自引率:0.04
开源占比:0.1288
出版撤稿占比:
出版国人文章占比:0
OA被引用占比:
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Ieee Journal Of Quantum Electronics期刊介绍

The IEEE Journal of Quantum Electronics is dedicated to the publication of manuscripts reporting novel experimental or theoretical results in the broad field of the science and technology of quantum electronics. The Journal comprises original contributions, both regular papers and letters, describing significant advances in the understanding of quantum electronics phenomena or the demonstration of new devices, systems, or applications. Manuscripts reporting new developments in systems and applications must emphasize quantum electronics principles or devices. The scope of JQE encompasses the generation, propagation, detection, and application of coherent electromagnetic radiation having wavelengths below one millimeter (i.e., in the submillimeter, infrared, visible, ultraviolet, etc., regions). Whether the focus of a manuscript is a quantum-electronic device or phenomenon, the critical factor in the editorial review of a manuscript is the potential impact of the results presented on continuing research in the field or on advancing the technological base of quantum electronics.

期刊简介Ieee Journal Of Quantum Electronics期刊介绍

《Ieee Journal Of Quantum Electronics》自1965出版以来,是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果,并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台,以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述,从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解,或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单,目前已被权威数据库SCI、SCIE收录,得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点:

Cite Score数据(2026年6月最新版)Ieee Journal Of Quantum Electronics Cite Score数据

  • CiteScore:4.2
  • SJR:0.478
  • SNIP:0.896
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 384 / 1030

62%

大类:Engineering 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 109 / 243

55%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q2 200 / 446

55%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础,针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于,它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法,而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Ieee Journal Of Quantum Electronics 中科院分区

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY 量子科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 4区 3区 3区
期刊分区表(2025年3月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY 量子科技 3区 3区 4区 4区
期刊分区表(2023年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY 量子科技 3区 3区 3区 4区
期刊分区表(2022年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY 量子科技 3区 3区 3区 3区
期刊分区表(2021年12月升级版) 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY 量子科技 3区 3区 3区 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础,运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据,得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次,类似于“优、良、及格”等。最开始,这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Ieee Journal Of Quantum Electronics JCR分区

2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 255 / 369

31

学科:OPTICS SCIE Q3 79 / 129

39.1

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 138 / 191

28

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 21 / 28

26.8

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 213 / 371

42.72

学科:OPTICS SCIE Q3 79 / 129

39.15

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 108 / 191

43.72

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 21 / 28

26.79

2024-2025年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 214 / 368

42

学科:OPTICS SCIE Q3 74 / 125

41.2

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 123 / 187

34.5

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 19 / 28

33.9

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 368

49.59

学科:OPTICS SCIE Q3 73 / 125

42

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 94 / 187

50

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 19 / 28

33.93

2023-2024年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 183 / 352

48.2

学科:OPTICS SCIE Q2 57 / 119

52.5

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 104 / 179

42.2

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 18 / 26

32.7

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 162 / 354

54.38

学科:OPTICS SCIE Q2 55 / 120

54.58

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 74 / 179

58.94

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 16 / 26

40.38

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异,此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此,JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区,这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

国家/地区发文量统计
  • 国家/地区数量
  • CHINA MAINLAND91
  • USA69
  • France20
  • England17
  • India15
  • Canada12
  • Russia12
  • Singapore11
  • South Korea11
  • Belgium9

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、Manganese (II) Coordination Polymer as a Nonlinear Saturable Absorber for Mode-Locking at 1-micro

    Author: Lutfi, M. A. M.; Ahmad, H.; Zaini, M. K. A.; Samion, M. Z.; Yusoff, N.; Hussein, Mousa; Thambiratnam, K.; Mahmoodin, Z.; Sun, S

    Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 4, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3684005

  • 2、Influence of 4F5/2 Relaxation on Laser Efficiency in Nd-Doped Fibe

    Author: Lin, Zhiquan; Wang, Yafei; Wu, Bo; Guo, Mengting; Wang, Meng; Zhang, Lei; Yang, Dingyu; Wang, Shikai; Yu, Chunlei; Hu, Lili

    Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2025.3624323

  • 3、Cryogenic to Room-Temperature Characterization of Modified Uni-Traveling-Carrier Photodiode

    Author: Gu, Dingran; Chen, Qiushi; Li, Linze; Wang, Luyu; Zhu, Liqi; Tang, Zhidong; He, Chang; Lu, Juanjuan; Kou, Xufeng; Chen, Baile

    Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3678492

  • 4、High-Precision Fluorescent Temperature Probe Based on FIR Method for Human Body Temperature Measuremen

    Author: Gao, Qian; Xiao, Xianglong; Huang, Lihui; Zhao, Shilong; Wang, Xiuli

    Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3682688

  • 5、Numerically Investigating the Impact of High-k Buried Field-Plate Termination on the Catastrophic Mirror Failure for GaN-Based Laser Diode

    Author: Zhang, Qiong; Tian, Kangkai; Chu, Chunshuang; Zhang, Yonghui; Zheng, Quan; Li, Qing; Sun, Xiao Wei; Zhang, Zi-Hui

    Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3665619

  • 6、Broadband Supercontinuum Generation for Orbital Angular Momentum Modes in Graded-Index Double-Ring-Core Fibe

    Author: Peng, Qinru; Geng, Wenpu; Zhang, Yiwen; Dong, Yongbo; Pan, Zhongqi; Yue, Yang

    Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3667098

  • 7、Beyond Two-Octave Supercontinuum Generation for OAM Modes in Fluoride Fibe

    Author: Ren, Haoyang; Wu, Xiaoke; Geng, Wenpu; Yang, Jian; Wang, Yuetian; Pan, Zhongqi; Yue, Yang

    Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3653657

  • 8、Numerical Model and Experimental Validation of Visible Q-Switched Holmium-Doped Fiber Laser

    Author: Fei, Yaolin; Zou, Qiuyue; Zhong, Dailiang; Shi, Wei; Ma, Yao; Xu, Liujing; Li, Wensong

    Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2025.3645768

投稿常见问题

通讯方式:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。