400-838-9662 发表指南 购物车（0）
目标检索
学术杂志 科普杂志 SCI杂志
当前位置： 首页 JCRQ2 期刊介绍(非官网)
Ieee Journal Of The Electron Devices Society

Ieee Journal Of The Electron Devices Society

SCISCIE

国际简称：IEEE J ELECTRON DEVI  参考译名：IEEE电子器件学会杂志

  • 中科院分区

    3区

  • CiteScore分区

    Q2

  • JCR分区

    Q2

基本信息：
ISSN：2168-6734
E-ISSN：2168-6734
是否OA：开放
是否预警：否
TOP期刊：否
出版信息：
出版地区：UNITED STATES
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版语言：English
出版周期：1 issue/year
出版年份：2013
研究方向：Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology
评价信息：
影响因子：2.9
H-index：23
CiteScore指数：4.8
SJR指数：0.506
SNIP指数：1.217
发文数据：
Gold OA文章占比：100.00%
研究类文章占比：100.00%
年发文量：179
自引率：0.0434...
开源占比：0.9789
出版撤稿占比：
出版国人文章占比：0
OA被引用占比：
投稿咨询 加急见刊
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Ieee Journal Of The Electron Devices Society期刊介绍

The IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS) is an open-access, fully electronic scientific journal publishing papers ranging from fundamental to applied research that are scientifically rigorous and relevant to electron devices. The J-EDS publishes original and significant contributions relating to the theory, modelling, design, performance, and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanodevices, optoelectronics, photovoltaics, power IC's, and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are, also, published. And, occasionally special issues with a collection of papers on particular areas in more depth and breadth are, also, published. J-EDS publishes all papers that are judged to be technically valid and original.

期刊简介Ieee Journal Of The Electron Devices Society期刊介绍

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》自2013出版以来，是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果，并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台，以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述，从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解，或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单，目前已被权威数据库SCI、SCIE收录，得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点：

Cite Score数据（2026年6月最新版）Ieee Journal Of The Electron Devices Society Cite Score数据

  • CiteScore：4.8
  • SJR：0.506
  • SNIP：1.217
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q2 338 / 1030

67%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 130 / 318

59%
大类：Engineering 小类：Biotechnology Q2 152 / 325

53%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础，针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于，它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法，而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Ieee Journal Of The Electron Devices Society 中科院分区

《新锐期刊分区表》（2026年3月发布） 综述期刊：否 Top期刊：否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区
期刊分区表（2025年3月升级版） 综述期刊：否 Top期刊：否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 4区
期刊分区表（2023年12月升级版） 综述期刊：否 Top期刊：否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 4区
期刊分区表（2022年12月升级版） 综述期刊：否 Top期刊：否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区
期刊分区表（2021年12月升级版） 综述期刊：否 Top期刊：否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区

中科院分区表 是以客观数据为基础，运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据，得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次，类似于“优、良、及格”等。最开始，这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Ieee Journal Of The Electron Devices Society JCR分区

2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 174 / 369

53
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 172 / 371

53.77
2023-2024年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 202 / 352

42.8
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异，此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此，JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区，这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

国家/地区发文量统计
  • 国家/地区数量
  • CHINA MAINLAND168
  • USA99
  • Taiwan98
  • South Korea74
  • Japan61
  • India40
  • France29
  • GERMANY (FED REP GER)27
  • Switzerland23
  • Belgium20

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、Microchannel Cooling for Performance Enhancement of GaN-on-Si HEMT With a Low Rj-a of 13.5 K/

    Author: Zhou, Jiajun; Feng, Xin; Zhang, Weihang; Dang, Kui; Zhang, Yachao; Ren, Zeyang; He, Yanjing; Liu, Xianhe; Zhou, Hong; Liu, Zhihong; Hao, Yue; Zhang, Jincheng

    Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2026; Vol. 14, Issue , pp. 85-92. DOI: 10.1109/JEDS.2026.3658238

  • 2、Miller-Current Suppressing Technology for False Turn-On Protection of Commercial p-GaN HEMT

    Author: Liu, Ziheng; He, Jiayin; Peng, Hongjie; Gao, Ju; Xia, Wenbo; Ao, Chengkang; Wang, Jinyan; Wang, Maojun; Wei, Jin; Xie, Yong

    Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2026; Vol. 14, Issue , pp. 113-121. DOI: 10.1109/JEDS.2026.3661537

  • 3、Simulation Study on the Scalability of Channel-All-Around Reconfigurable Field-Effect Transistors With Gate-Controlled Polarit

    Author: Huo, Ran; Ou, Shijun; Wu, Zhehao; Zhang, Han; Lv, Bowen; Shao, Yvyang; Ma, Zichao; Zhang, Min; Chan, Mansun; Zhou, Changjian

    Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2026; Vol. 14, Issue , pp. 93-101. DOI: 10.1109/JEDS.2026.3659128

  • 4、Research on 4H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch Employing Composite Anti-Reflection Coatin

    Author: Lv, Haojie; Yu, Xiaoqing; Li, Lun; Zhang, Peiyu

    Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2026; Vol. 14, Issue , pp. 137-144. DOI: 10.1109/JEDS.2026.3662337

  • 5、Evaluation of Interface Traps Within Drift Region in LDMOS Using a Multi-Pulse Test Metho

    Author: Guo, Qianwen; Cao, Jiawei; Zhou, Ke; Liu, Fang; Zhao, Dongyan; Chen, Yanning; Wu, Bo; Deng, Yongfeng; Gao, Dawei; Ke, Xugang; Li, Junkang; Zhang, Rui

    Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2026; Vol. 14, Issue , pp. 145-150. DOI: 10.1109/JEDS.2026.3661617

  • 6、Dynamic Evolution of Hydrogen in IGZO Transistors for PBTI Improvement by Low-Temperature Atmosphere Annealin

    Author: Xiang, Liang; Yan, Gangping; Yang, Hong; Yang, Shangbo; Xu, Gaobo; Sun, Mingyang; Wang, Guilei; Yin, Huaxiang; Wang, Xiaolei; Luo, Jun; Wang, Wenwu

    Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2026; Vol. 14, Issue , pp. 30-35. DOI: 10.1109/JEDS.2025.3642582

  • 7、Understanding Frequency Dependence of Trap Generation Under AC Positive Bias Temperature Instability Stress in Si n-FinFET

    Author: Shi, Yunfei; Chang, Hao; Yang, Hong; Zhang, Qiangzhu; Liu, Qianqian; Tang, Bo; Zhou, Longda; Ji, Zhigang; Li, Junjie; He, Xiaobin; Li, Junfeng; Yin, Huaxiang; Wang, Xiaolei; Luo, Jun; Wang, Wenwu

    Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2025; Vol. 13, Issue , pp. 450-455. DOI: 10.1109/JEDS.2025.3567049

  • 8、Impact of the Schottky Barrier Height on the Carrier Velocity Overshoot Behaviors in SOI nMOSFETs With Metal Source/Drai

    Author: Su, Rui; Jing, Yan; Zhang, Xinyi; Jiang, Yi; Gao, Dawei; Schwarzenbach, Walter; Nguyen, Bich-Yen; Li, Junkang; Robertson, John; Zhang, Rui

    Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2025; Vol. 13, Issue , pp. 464-470. DOI: 10.1109/JEDS.2025.3569242

投稿常见问题

通讯方式：445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

同大类学科期刊导航

相关期刊推荐

热门期刊推荐