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半导体技术杂志

半导体技术杂志北大期刊统计源期刊

Semiconductor Technology

主管单位：中国电子科技集团公司 主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所

  • 审稿周期

    1-3个月

  • 影响因子

    0.57

  • 发文量

    2255

  • 总被引次数

    7023

  • 全年订价

    ¥ 408.00

  • H指数

    21

  • 立即指数

    0.0356

  • 引用半衰期

    3.625

  • 期刊他引率

    0.8215

  • 平均引文率

    6.5067

基本信息：
ISSN：1003-353X
CN：13-1109/TN
邮发代号：18-65
主编：赵小宁
邮编：050051
出版信息：
出版地区：河北
出版周期：月刊
出版语言：中文
创刊时间：1976
类别：电子
收录信息：
维普收录(中)
上海图书馆馆藏
Pж(AJ) 文摘杂志(俄)
SA 科学文摘(英)
北大期刊(中国人文社会科学期刊)
CA 化学文摘(美)
万方收录(中)
知网收录(中)
国家图书馆馆藏
JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)
统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)
剑桥科学文摘
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荣誉信息：
中国优秀期刊遴选数据库
中国科技期刊优秀期刊
中国期刊全文数据库（CJFD）
Caj-cd规范获奖期刊
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半导体技术期刊介绍

《半导体技术》是由中国电子科技集团公司第十三研究所主办，中国电子科技集团公司主管的全国性电子类期刊，创刊于1976年，刊号（CN 13-1109/TN，ISSN 1003-353X），邮发代号：18-65，全年定价：408.00元/期，月刊。该杂志以刊登电子科学论文、评价电子科研成果、探讨电子教学规律、传播电子教学经验、开展电子学术讨论、报道电子研究动态、提供国内外电子信息为主旨，引领电子前沿和热难点问题研究，助电子经学者成长。该刊级别为北大期刊，统计源期刊，欢迎广大读者订阅。

《半导体技术》期刊栏目主要有：趋势与展望 半导体集成电路 半导体器件 半导体制备技术 先进封装技术

半导体技术历史收录情况

  • 北大核心期刊（2020版）
  • 北大核心期刊（2017版）
  • 北大核心期刊（2014版）
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 北大核心期刊（2008版）
  • 北大核心期刊（2004版）
  • 北大核心期刊（2000版）
  • 北大核心期刊（1996版）
  • 北大核心期刊（1992版）
  • 中国科技核心期刊
  • 中国科学引文数据库-扩展（2017-2018）
  • 中国科学引文数据库-扩展（2015-2016）
  • 中国科学引文数据库-扩展（2013-2014）
  • 中国科学引文数据库-扩展（2011-2012）
  • 日本科学技术振兴机构数据库
  • 化学文摘（网络版）
  • 文摘杂志

半导体技术投稿须知

（1）因匿名评审需要，正文部分不得出现与作者有关的任何信息。

（2）中文标题：简明确切地反映文章内容，不超过20字，超过20字的建议用副标题反映。

（3）如稿件以前已有回复意见,请将以往邮件一并附上。

（4）论文插图清晰，插图单独打包，与论文一并投递。图片须为JPG格式，扫描件300像素以上，照片500K以上，图片命名清楚。

（5）注释是对文中某一内容的解释或补充说明，用数字加圆圈标注（如①、②……)置于文末。

半导体技术期刊评价报告

年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021
影响因子 631 561 608 578 623 689 659
立即指数 0.22 0.28 0.28 0.31 0.4 0.47 0.57
发文量 0.07 0.06 0.1 0.11 0.1 0.09 0.13
引用半衰期 13.3 14.6 17.5 17.1 16.1 19.8 19.5
被引半衰期 0.88 0.86 0.88 0.89 0.86 0.81 0.79
被引次数 170 176 162 151 161 150 152
期刊他引率 6.78 6.39 7.04 7.32 7.04 6.8 5.18
平均引文率 5.38 5.91 4.43 4.89 3.86 4.93 4.75

半导体技术文献分析

1、主要引证文献期刊分析

序号 期刊 涉及文献量
1 《微电子学》 197
2 《电子与封装》 175
3 《微纳电子技术》 159
4 《现代电子技术》 149
5 《电子元件与材料》 146
6 《电子器件》 139
7 《固体电子学研究与进展》 126
8 《电子工业专用设备》 121
9 《电子设计工程》 118
10 《半导体光电》 94

2、主要参考文献期刊分析

序号 期刊 涉及文献量
1 《半导体学报：英文版》 342
2 《微电子学》 223
3 《固体电子学研究与进展》 211
4 《物理学报》 175
5 《微纳电子技术》 155
6 《电子与封装》 110
7 《半导体光电》 107
8 《电子器件》 98
9 《电子工业专用设备》 91
10 《电子元件与材料》 87

半导体技术主要发文机构分析

序号 机构名称 发文量 相关发文主题
1 中国电子科技集团第十三研究所 669 电路；晶体管；集成电路；单片；放大器
2 河北工业大学 257 CMP；化学机械抛光；机械抛光；抛光液；抛光
3 中国科学院 245 半导体；电路；激光；激光器；晶体管
4 中国科学院微电子研究所 214 电路；晶体管；放大器；功耗；低功耗
5 清华大学 175 电路；集成电路；封装；半导体；芯片
6 复旦大学 159 电路；集成电路；封装；有限元；芯片
7 北京工业大学 135 晶体管；可靠性；异质结；二极管；双极晶体管
8 中国电子科技集团公司 110 单晶；晶片；GAN；晶体管；SI
9 西安电子科技大学 108 电路；集成电路；放大器；晶体管；芯片
10 电子科技大学 101 电路；集成电路；放大器；单片；晶体管

半导体技术期刊文献

  • 超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势 作者：何君; 李明月；中国电子科技集团公司第十三研究所; 石家庄050051
  • 微电容超声换能器的前端专用集成电路设计 作者：杜以恒; 何常德; 张文栋；中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室; 太原030051
  • 寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响 作者：彭子和; 秦海鸿; 修强; 张英; 荀倩；南京航空航天大学自动化学院; 南京211106; 查尔姆斯理工大学电力工程系; 瑞典哥德堡999034
  • 高阈值电压低界面态增强型Al2O3/GaN MIS-HEMT 作者：李茂林; 陈万军; 王方洲; 施宜军; 崔兴涛; 信亚杰; 刘超; 李肇基; 张波；电子科技大学电子科学与工程学院; 成都610054
  • MPS二极管的少子特性仿真 作者：孙霞霞; 汪再兴; 刘晓忠; 郑丽君; 王永顺；兰州交通大学电子与信息工程学院; 兰州730070
  • 一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管 作者：高吴昊; 陈万军; 刘超; 陶宏; 夏云; 谯彬; 施宜军; 邓小川; 李肇基; 张波；电子科技大学电子科学与工程学院; 成都610054
  • 三维闪存中基于钨互连的空气隙结构的制备工艺 作者：袁璐月; 刘峻; 范鲁明; 郭安乾; 夏志良; 霍宗亮；中国科学院大学微电子学院; 北京100049; 中国科学院微电子研究所; 北京100029; 长江存储科技责任有限公司; 武汉430205
  • 栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响 作者：崔兴涛; 陈万军; 施宜军; 信亚杰; 李茂林; 王方洲; 周琦; 李肇基; 张波；电子科技大学电子科学与工程学院; 成都610054

投稿常见问题

，地址：石家庄市合作路113号，邮编：050051。

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